b.左下旋鈕“1”旋轉至指向1區段測量位置。pvd真空鍍膜，離子鍍膜膜層的均與性主要包括成分均勻、組織結構均勻和膜厚均勻，終保證膜層各種性能均勻。材料的性能由其誠分與組織結構所決定，膜層必須獲得所設計的膜系成分和組織結構均勻一致。薄膜是二維材料，膜的厚度是重要的材料技術(shù)指標。比如薄膜的干涉顯色，耐腐蝕性和耐磨性都與膜厚密切相關(guān)，膜厚均勻保證薄膜相關(guān)的性能均勻。

第三：靶中現象正離子堆積：靶毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。陽(yáng)極消失：靶*時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現象。真空鍍膜設備操作程序具體操作時(shí)請參照該設備說(shuō)明書(shū)和真空鍍膜機上儀表盤(pán)指針顯示及各旋鈕下的標注說(shuō)明。

第二：靶毒的影響因素影響靶中的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過(guò)量就會(huì )導致靶*。反應濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(cháng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過(guò)度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶完全*，在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應。