個(gè)真正認識到它的性能并引用納米概念的是日本科學(xué)家，他們在20世紀70年代用蒸發(fā)法制備超微離子，并通過(guò)研究它的性能發(fā)現：一個(gè)導電、導熱的銅、銀導體做成納米尺度以后，它就失去原來(lái)的性質(zhì)，表現出既不導電、也不導熱。磁性材料也是如此，象鐵鈷合金，把它做成大約20—30納米大小，磁疇就變成單磁疇，鈦金的磁性要比原來(lái)高1000倍。80年代中期，人們就正式把這類(lèi)材料命名為納米材料。

電漿輔助化沉積：氣相化學(xué)沉積的化學(xué)反應是在高溫基材上進(jìn)行，如此才能使氣體前置物獲得足夠的能量反應。電漿聚合：聚合物或塑料薄膜簡(jiǎn)單的披覆技術(shù)就是將其溶劑中，然后涂布于基板上。電漿聚合涂布法系將分子單體激發(fā)成電漿，經(jīng)化學(xué)反應后形成一致密的聚合體并披覆在基板上，由于基材受到電漿的撞擊，其附著(zhù)性也很強。電漿蝕刻：濕式堿性蝕刻，這是簡(jiǎn)單而且便宜的方法，它的缺點(diǎn)是堿性蝕刻具晶面方向性，而且會(huì )產(chǎn)生下蝕的問(wèn)題。

第二：靶毒的影響因素影響靶中的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過(guò)量就會(huì )導致靶*。反應濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(cháng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過(guò)度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶完全*，在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應。