電子束蒸發(fā)鍍膜

利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā)，在基片表面凝結成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2，可達到3000℃以上，可蒸發(fā)高熔點(diǎn)的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。

電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環(huán)行)，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線(xiàn)圈使電子束聚焦和偏轉，對膜料進(jìn)行轟擊和加熱。

鍍料原子、分子或離子在基體上沉積：工件表面上的蒸發(fā)料離子超過(guò)濺失離子的數量時(shí)，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。

離子鍍時(shí)，蒸發(fā)料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動(dòng)能，高速轟擊工件時(shí)，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴散層，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，也就是說(shuō)比普通真空鍍膜的擴散深度要深幾十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特別牢。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量,壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí),沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結構疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結構均勻致密,機械強度高,膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時(shí),吸附原子的動(dòng)能隨之增大,形成的薄膜容易結晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí),則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.