在靶材和襯底之間加上一個(gè)直流高壓，極板間的氣體（一般為Ar2）電離，高速帶電離子轟擊靶材表面的濺射鍍膜技術(shù)。要保持自持放電，在兩極板間距為數厘米的正常濺射間距下，放電氣壓一般高達10帕，這對濺射效率和薄膜質(zhì)量都是不利的。因此，直流濺射多采用非自持放電，也就是加入熱電子發(fā)射極和輔助陽(yáng)極的四極濺射，可使濺射在10-1～10-2帕的低氣壓下進(jìn)行。


PVD (Physical Vapor Deition) 即物理氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說(shuō)的PVD鍍膜 ，指的就是真空離子鍍膜；通常說(shuō)的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜和真空濺射鍍。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發(fā)成氣相，然后沉積在基體表面，歷，真空蒸鍍是PVD法中使用早的技術(shù)。

離子鍍時(shí)，蒸發(fā)料粒子是以帶電離子的形式在電場(chǎng)中沿著(zhù)電力線(xiàn)方向運動(dòng)，因而凡是有電場(chǎng)存在的部位，均能獲得良好鍍層，這比普通真空鍍膜只能在直射方向上獲得鍍層優(yōu)越得多。因此，這種方法非常適合于鍍復零件上的內孔、凹槽和窄縫。等其他方法難鍍的部位。用普通真空鍍膜只能鍍直射表面，蒸發(fā)料粒子尤如攀登云梯一樣，只能順梯而上；而離子鍍則能均勻地繞鍍到零件的背面和內孔中，帶電離子則好比坐上了直升飛機，能夠沿著(zhù)規定的航線(xiàn)飛抵其活動(dòng)半徑范圍內的任何地方。